Tiedotteet

Näytä tiedotekategoriat

Etusivu » Tiedotteet » Tietotekniikka » Micron ja Intel esittelevät uuden 3D NAND Flash -muistin

Intel

Micron ja Intel esittelevät uuden 3D NAND Flash -muistin

Tiedote.
Julkaistu: 26.03.2015 klo 18:43
Julkaisija: Intel

Edistyksellisen 3D NAND -teknologian ansiosta uusi flash-muisti mahdollistaa jopa kolminkertaisen kapasiteetin muihin NAND-teknologioihin verrattuna

Helsinki 26.3.2015 – Micron ja Intel ovat tänään julkistaneet yksityiskohtia 3D NAND -teknologiasta, joka mahdollistaa tiheydeltään maailman suurimman flash-muistin valmistuksen. Flash-muistia käytetään kevyissä kannettavissa tietokoneissa, nopeimmissa datakeskuksissa sekä useimmissa mobiililaitteissa.

Intelin ja Micronin yhdessä kehittämä 3D NAND -teknologia pinoaa muistisolukerroksia päällekkäin erittäin suurella tarkkuudella. Tämä mahdollistaa muistit, joiden kapasiteetti on jopa kolminkertainen kilpaileviin NAND-teknologioihin verrattuna. Valmistustavan ansiosta pienempään tilaan mahtuu enemmän muistia, mikä puolestaan tarjoaa huomattavia säästöjä sekä alhaisen virrankulutuksen ja korkean suorituskyvyn erilaisille mobiililaitteille sekä vaativimpiin yritystason käyttötarkoituksiin.

Tasomainen NAND-flash-muisti lähestyy käytännössä skaalautumisen rajojaan, mikä luo haasteita muistiteollisuudelle. 3D NAND -teknologia mahdollistaa flash-muistiratkaisut, joiden kohdalla Mooren laki pätee yhä. Yksi teknologian eduista on nopea kirjoitus- ja lukunopeus. Lisäksi sen uudet ominaisuudet pienentävät latenssia, parantavat kestävyyttä ja tekevät järjestelmien integroinnista helpompaa edellisiin flash-muistisukupolviin verrattuna.

”Micronin ja Intelin yhteistyö on luonut alan johtavan massamuistiteknologian, joka tarjoaa tiheyttä, suorituskykyä ja tehokkuutta. Mikään olemassa oleva flash-teknologia ei yllä samaan”, sanoo Brian Shirley, Micronin muistiteknologioista ja -ratkaisuista vastaava johtaja. ”3D NAND -teknologia voi johtaa perustavanlaatuisiin muutoksiin markkinoilla. Flash-muistin tähänastinen vaikutus älypuhelimista aina suurteholaskentaan edustaa vain pintaraapaisua siitä, mikä on mahdollista.”

”Intelin kehitysponnistelut Micronin kanssa heijastavat haluamme tuoda määrätietoisesti markkinoille johtavia, innovatiivisia haihtumattomia muistiteknologioita”, sanoo Rob Cooke, Intelin Non-Volatile Memory Solutions Groupin johtaja. ”Uuden 3D NAND -teknologiamme mahdollistamat merkittävät parannukset tiheydessä ja kustannustehokkuudessa nopeuttavat massamuistien käyttöönottoa eri laskenta-alustoissa.”

Yksi uuden teknologian merkittävistä ominaisuuksista sijaitsee itse muistisolussa. Intel ja Micron valitsivat muistiinsa kelluvan hilan. Se on yleisesti käytössä oleva tekniikka, jota on hiottu tasomaisen flash-muistin teollisessa valmistuksessa. Kelluvaa hilaa on nyt ensi kertaa päätetty hyödyntää 3D NAND -piirissä paremman suorituskyvyn, laadun ja luotettavuuden mahdollistamiseksi.

Uudessa 3D NAND -teknologiassa flash-muistisolut pinotaan päällekkäin 32 kerrokseen. Näin saadaan aikaan standardipakettiin sopivat 256 gigatavun multi-level cell (MLC) -tekniikkaan sekä 384 gigatavun triple-level cell -tekniikkaan (TLC) perustuvat muotit. Nämä ominaisuudet mahdollistavat purukumilevyn kokoiset, yli 3,5 teratavun SDD-massamuistit, sekä 2,5-tuumaiset, yli 10 teratavun SSD-massamuistit. Valmistustavan ansiosta yksittäisten solujen mittasuhteet voivat olla huomattavasti suuremmat, minkä odotetaan lisäävän sekä suorituskykyä että kestävyyttä. Lisäksi sen odotetaan tekevän jopa TLC-versioista datakeskuksiin soveltuvia.

3D NAND -muistin 256 gigatavun multi-level cell (MLC) -versio on parhaillaan kokeiltavana valikoiduilla kumppaneilla. 384 gigatavun triple-level cell (TLC) -versio tulee kokeiltavaksi myöhemmin tämän kevään aikana. Tuotantolinjalla on jo tehty ensimmäiset tuotantoajot, ja molemmat tuotteet ovat täysimittaisessa tuotannossa tämän vuoden viimeiseen kvartaaliin mennessä. Lisäksi molemmat yhtiöt kehittävät itsenäisiä, 3D NAND -teknologiaan perustuvia SSD-massamuistiratkaisuja, joiden odotetaan tulevan saataville seuraavan vuoden aikana.

Lisätietoja ja media-aineistoa verkossa:

http://www.micron.com/about/news-and-events/media-relations/media-kits/3d-nand-media-kit

http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2015/03/26/micron-and-intel-unveil-new-3d-nand-flash-memory

 

Lisätietoja antavat:

Camilla Törnblom
Intel Nordics
Puh. +46 8 5946 1729 tai +46 768 881 729
camilla.tornblom@intel.com

Michael Jääskeläinen
Hill+Knowlton Strategies
Puh. 050 571 0514
michael.jaaskelainen@hkstrategies.com

 

Micron Technology, Inc.
Micron Technology, Inc. on kansainvälisesti johtava edistyneitä puolijohdejärjestelmiä tuottava yhtiö. Micronin laaja, korkean suorituskyvyn muistiteknologioita kuten DRAM, NAND ja NOR Flash sisältävä portfolio on SSD-muistien, moduulien, monisirupakkausten sekä muiden ratkaisujen perusta. 35 vuoden aikana kertyneen teknologisen osaamisen ansiosta Micronin muistiratkaisut mahdollistavat maailman innovatiivisimmat laskenta- ja kuluttajatuotteet sekä yritysten muisti-, verkko- ja mobiilisovellukset, sulautetut järjestelmät ja autoalan sovellukset. Micronin osakkeita noteerataan NASDAQ-pörssissä MU-tunnuksella. Lisätietoja osoitteessa http://www.micron.com

Intel
Intel on maailman johtavia innovaattoreita tietojenkäsittelyssä. Yhtiö suunnittelee ja kehittää teknologioita, jotka muodostavat perustan erilaisille tietoteknisille laitteille. Vastuullisuuden ja kestävän kehityksen johtavana yrityksenä Intel valmistaa maailman ensimmäisiä kaupallisesti saatavia, konfliktivapaita mikroprosessoreita. Lisätietoja Intelistä saa kansainvälisiltä sivustoilta osoitteista http://newsroom.intel.com ja http://blogs.intel.com/. Lisätietoja Intelin konfliktivapaista pyrkimyksistä löytyy osoitteesta conflictfree.intel.com. Suomessa Intelin uutisia julkaistaan myös Twitterissä osoitteessa https://twitter.com/IntelFinland

Tiedote kokonaisuudessaan alla:

Micron and Intel Unveil New 3D NAND Flash Memory

Technology Advancements Enable Three Times More Capacity than Other NAND Technologies

NEWS HIGHLIGHTS

• 3D NAND technology uses floating gate cells and enables the highest-density flash device ever developed—three times higher capacity1 than other NAND die in production.

• Enables gum stick-sized SSDs with more than 3.5 terabytes (TB) of storage and standard 2.5-inch SSDs with greater than 10TB

• Innovative process architecture techniques extend Moore’s Law for flash storage, bringing significant improvements in density while lowering the cost of NAND flash.

Multimedia Elements:

• Media Kit – Micron / Intel

BOISE, Idaho and SANTA CLARA, Calif., March 26, 2015 – Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), and Intel Corporation today revealed the availability of their 3D NAND technology, the world’s highest-density flash memory. Flash is the storage technology used inside the lightest laptops, fastest data centers, and nearly every cellphone, tablet and mobile device.

This new 3D NAND technology, which was jointly developed by Intel and Micron, stacks layers of data storage cells vertically with extraordinary precision to create storage devices with three times higher capacity1 than competing NAND technologies. This enables more storage in a smaller space, bringing significant cost savings, low power usage and high performance to a range of mobile consumer devices as well as the most demanding enterprise deployments.

Planar NAND flash memory is nearing its practical scaling limits, posing significant challenges for the memory industry. 3D NAND technology is poised to make a dramatic impact by keeping flash storage solutions aligned with Moore’s Law, the trajectory for continued performance gains and cost savings, driving more widespread use of flash storage.

“Micron and Intel’s collaboration has created an industry-leading solid-state storage technology that offers high density, performance and efficiency and is unmatched by any flash today,” said Brian Shirley, vice president of Memory Technology and Solutions at Micron Technology. “This 3D NAND technology has the potential to create fundamental market shifts. The depth of the impact that flash has had to date—from smartphones to flash-optimized supercomputing—is really just scratching the surface of what’s possible.”

“Intel’s development efforts with Micron reflect our continued commitment to offer leading and innovative non-volatile memory technologies to the marketplace,” said Rob Crooke, senior vice president and general manager, Non-Volatile Memory Solutions Group, Intel Corporation. “The significant improvements in density and cost enabled by our new 3D NAND technology innovation will accelerate solid-state storage in computing platforms.”

Innovative Process Architecture
One of the most significant aspects of this technology is in the foundational memory cell itself. Intel and Micron chose to use a floating gate cell, a universally utilized design refined through years of high-volume planar flash manufacturing. This is the first use of a floating gate cell in 3D NAND, which was a key design choice to enable greater performance and increase quality and reliability.

The new 3D NAND technology stacks flash cells vertically in 32 layers to achieve 256Gb multilevel cell (MLC) and 384Gb triple-level cell (TLC) die that fit within a standard package. These capacities can enable gum stick-sized SSDs with more than 3.5TB of storage and standard 2.5-inch SSDs with greater than 10TB. Because capacity is achieved by stacking cells vertically, the individual cell dimensions can be considerably larger. This is expected to increase both performance and endurance and make even the TLC designs well-suited for data center storage.

The key product features of this 3D NAND design include:

Large Capacities –Three times the capacity of existing 3D technology1—up to 48GB of NAND per die—enabling three-fourths of a terabyte to fit in a single fingertip-sized package.

Reduced Cost per GB – First-generation 3D NAND is architected to achieve better cost efficiencies than planar NAND.

Fast – High read/write bandwidth, I/O speeds and random read performance.

Green – New sleep modes enable low-power use by cutting power to inactive NAND die (even when other die in the same package are active), dropping power consumption significantly in standby mode.

Smart – Innovative new features improve latency and increase endurance over previous generations, and also make system integration easier.

The 256Gb MLC version of 3D NAND is sampling with select partners today, and the 384Gb TLC design will be sampling later this spring. The fab production line has already begun initial runs, and both devices will be in full production by the fourth quarter of this year. Both companies are also developing individual lines of SSD solutions based on 3D NAND technology and expect those products to be available within the next year.

---

Follow us online!

Micron

Take part in Micron’s social conversations where we’re talking all things storage and memory:

• Innovations Blog: www.micronblogs.com
• Twitter*: www.twitter.com/micronstorage
• YouTube*: www.youtube.com/microntechnology

Intel

Contribute to the SSD conversations through Intel’s social channels:

• IT Peer Network Blogs: communities.intel.com/community/itpeernetwork/blog
• Facebook*: www.facebook.com/Intel
• Twitter*: www.twitter.com/IntelSSD
• YouTube*: www.youtube.com/user/channelintel

 

Micron Technology, Inc.
Micron Technology, Inc., is a global leader in advanced semiconductor systems. Micron’s broad portfolio of high-performance memory technologies—including DRAM, NAND and NOR Flash—is the basis for solid state drives, modules, multichip packages and other system solutions. Backed by more than 35 years of technology leadership, Micron’s memory solutions enable the world’s most innovative computing, consumer, enterprise storage, networking, mobile, embedded and automotive applications. Micron's common stock is traded on the NASDAQ under the MU symbol. To learn more about Micron Technology, Inc., visit www.micron.com

Intel
Intel (NASDAQ: INTC) is a world leader in computing innovation. The company designs and builds the essential technologies that serve as the foundation for the world’s computing devices. As a leader in corporate responsibility and sustainability, Intel also manufactures the world’s first commercially available “conflict-free” microprocessors. Additional information about Intel is available at newsroom.intel.com and blogs.intel.com, and about Intel’s conflict-free efforts at conflictfree.intel.com.

--------------------------------------------------------------------------------

©2015 Micron Technology, Inc. All rights reserved. Micron and the Micron orbit logo are trademarks of Micron Technology, Inc.

Intel is a trademark of Intel Corporation in the United States and other countries.

*All other trademarks are the property of their respective owners.

Statements in this document that refer to Intel’s plans and expectations for the quarter, the year, and the future, are forward-looking statements that involve a number of risks and uncertainties. A detailed discussion of the factors that could affect Intel’s results and plans is included in Intel’s SEC filings, including the annual report on Form 10-K.

 

###

 [1] Capacity difference based on comparison between Micron and Intel 384 Gb TLC 3D NAND die and other industry 3D NAND TLC

Liitetiedostot

Intel on maailman johtavia innovaattoreita tietojenkäsittelyssä. Yhtiö suunnittelee ja kehittää teknologioita, jotka muodostavat perustan erilaisille tietoteknisille laitteille. Vastuullisuuden ja kestävän kehityksen johtavana yrityksenä Intel valmistaa maailman ensimmäisiä kaupallisesti saatavia, konfliktivapaita mikroprosessoreita. Lisätietoja Intelistä saa kansainvälisiltä sivustoilta osoitteista http://newsroom.intel.com/ ja http://blogs.intel.com/. Lisätietoja Intelin konfliktivapaista pyrkimyksistä löytyy osoitteesta conflictfree.intel.com. Suomessa Intelin uutisia julkaistaan myös Twitterissä osoitteessa https://twitter.com/IntelFinland.

Julkaisijan muita tiedotteita

Hae kategoriasta

Kategorian julkaisijoita

Kategorian uusimmat

ePressin asiakkaita
Trafi Radisson Blu Tellabs